买卖IC网 >> 产品目录 >> BSM10GD120DN2E3224 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BSM10GD120DN2E3224

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 2.7 V
在25 C的连续集电极电流 15 A
栅极—射极漏泄电流 120 nA
功率耗散 80 W
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 EconoPACK 2
封装 Reel
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属性
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代理商 BSM10GD120DN2E3224
BSM10GD60DN1
BSM10GD60DN2
BSM10GP120
BSM10GP120_B9
BSM10GP60
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司 0755-23603360 杨先生
深圳市科思奇电子科技有限公司 0755-83245050 林小姐/欧阳先生
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